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我國攻克太陽能單晶硅切割技術瓶頸
中央政府門戶網站 www.gov.cn   2006年12月01日   來源:科技日報

    作為國家“863”攻堅課題的太陽能切割和12英寸單晶硅拋光技術與設備,日前在上海日進機床有限公司開發研製成功,並通過日本專家的檢測,其各項指標已超過現有的傳統標準。

    多年來,太陽能單晶硅的切割技術一直是這個行業的瓶頸,其設備全部依賴進口;同時,12英寸單晶硅的拋光技術也一直是這個行業未能攻克的難題,這些都極大地限制了這個行業的發展。上海日進機床有限公司是近年來這個行業迅速崛起的新軍,在兩年多時間裏,投入了大量的人力物力,成功地攻克了這個技術難關,實現了太陽能單晶硅的切割和12英寸單晶硅拋光設備的國産化。

    上海日進機床有限公司研製的太陽能單晶硅切割設備採用多線切割原理,用鋼絲帶動碳化硅磨料進行切割,切損只有0.14mm,硅片可切薄到0.24mm,且切割的損傷小,可減少腐蝕的深度,對晶體硅片的成本的下降具有明顯的作用,填補了國內空白。

    12英寸單晶硅拋光設備採用的是雙面化學機械拋光原理,用納米磨料和化學溶液組成的拋光液,使工件表面産生化學反應,關鍵是通過化學作用和機械作用過程的良好匹配,來實現高質量、高效率的雙面拋光。經檢測,拋光後硅片的全局和局部平整精度已達到國際先進水平。(王秋君)

 
 
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