晶體材料國家重點實驗室宣佈，我國在研製2英寸碳化硅單晶獲得成功以來，在大直徑碳化硅單晶研究方面取得了又一突破性進展。

    這是晶體材料國家重點實驗室出爐的一塊月餅樣大小，硬度僅次於金剛石的灰色的3英寸碳化硅單晶

    我國在“十五”期間獲得2英寸碳化硅單晶，但更大直徑的生長技術進展緩慢。在國家“863”計劃支持下，山東大學晶體材料國家重點實驗室依靠2英寸碳化硅單晶小批量産業化基礎，首先利用理論計算，對大直徑單晶的溫場進行模擬，不斷試驗優化設計，最終在2000℃高溫和真空的環境下，成功生長出3英寸碳化硅單晶。

    自然界的晶體以絢爛的色彩贏得人們的喜愛，不僅如此，還具有奇異的物理性能：能夠實現光、電、磁、熱、聲和力的相互作用和轉換，是電子器件、半導體器件、固體激光器件的重要材料。據了解，從19世紀末開始，人們用各種方法來探索如何生長晶體，碳化硅單晶就是人工晶體科學中熠熠生輝的一顆明珠。它被稱為第三代半導體材料，目前美國的碳化硅單晶直徑達到4英寸，處於國際領先地位。（記者 孫明河）