新華社上海１１月７日電（記者張建松）“非易失性存儲器”作為新一代國際公認存儲技術，越來越受到世界各國高度重視。記者從７日在滬召開的第十一屆非易失性存儲器國際研討會上獲悉，上海在這一領域的研究已躋身國際先進水平。

    與易失性存儲器相比，非易失性存儲器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電後仍然能夠保持數據等諸多優點。隨著技術發展，非易失性存儲器分為相變存儲器、磁性存儲器、電阻式存儲器、鐵電存儲器等諸多類型。

    中國科學院上海微系統所、中芯國際、ｍｉｃｒｏ－ｃｈｉｐ是産學研結合的團隊，一直致力於研究我國自主的相變存儲芯片和存儲産品。

    據中科院上海微系統所宋志棠研究員介紹，由上海微系統所、中芯國際和ｍｉｃｒｏ－ｃｈｉｐ組成的聯合研究團隊在相變存儲器芯片的工程化研究方面已經取得突破性進展，研製出８Ｍｂ測試芯片，並實現全部存儲功能，８英寸整片Ｂｉｔ優良率超過９９％，開發出自主ＩＰ的雙溝道隔離二極管陣列，成功實現了工藝集成和相關功能的演示，並建立了８英寸整片測試系統。

    在此基礎上，上海微系統所與中芯國際建立了１２英寸專用ＰＣＲＡＭ平臺。１２英寸４０納米相變存儲器的産業化關鍵技術也取得了重要進展，完成了第一版芯片的設計，並進入關鍵的工藝開發；初步完成了尺寸為６０－７０納米的相變材料填充和拋光、刻蝕等單項工藝開發。

    第十一屆非易失性存儲器國際研討會由國際電子電氣工程師學會主辦，中國科學院上海微系統與信息技術研究所和新加坡數據存儲研究院共同承辦，是國際非易失性存儲器領域第一次在中國召開的權威會議。來自美國、法國、德國、西班牙、俄羅斯等１０個國家和地區２００多位專家學者和業內人士參加了此次會議。在為期三天的會議期間將舉行１０場大會報告和交流報告，圍繞非易失性存儲器領域的最新發展進行學術交流和研討。