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我國首個256位分子存儲器電路于近日研製成功
中央政府門戶網站 www.gov.cn   2008年05月19日   來源:新華社

    新華社合肥5月19日電(記者熊潤頻)記者日前從中國科學技術大學獲悉,中國科學院微電子所納米加工與新器件集成技術實驗室借助中科大國家同步輻射實驗室二次X射線光刻工藝,近日成功研製出國內首個256位分子存儲器電路。

    據介紹,分子電路是指在分子層次上構築的電子器件及其集成電路,是後摩爾時代接替硅基電路最受關注的方向之一,它能夠使電子器件的關鍵尺寸縮小到分子尺度,推動集成電路向更小尺寸、更高集成度方向發展。

    微電子所納米加工與新器件集成技術實驗室的研究人員在深入研究後成功研製了國內首個256位分子存儲器電路。該存儲器電路的特徵尺寸達到250nm(納米),電學性能優異。這一進展為我國分子電路的高集成度、高速度和低功耗的實現奠定了重要基礎,有力推動了我國分子電子學的發展。

 
 
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