４月２０日，研究人員在展示我國第一款具有自主知識産權的相變存儲器（ＰＣＲＡＭ）芯片。我國第一款具有自主知識産權的相變存儲器（ＰＣＲＡＭ）芯片研製成功，打破了存儲器芯片生産技術長期被國外壟斷的局面，産業化前景可觀。據介紹，該款ＰＣＲＡＭ試驗芯片存儲容量為８Ｍｂ，在８英寸硅片上的每一塊存儲芯片，存儲單元成品率達９９％以上。截至２０１０年底，該款ＰＣＲＡＭ相變存儲器已經獲得５０多項發明專利授權，１５０多項專利公開，相關專利分佈涵蓋從材料、結構工藝、設計到測試的芯片生産全部流程。新華社記者 劉穎 攝

    ４月２０日，在中國科學院上海微系統與信息技術研究所，研究人員在相變存儲器芯片進行語音功能演示。新華社記者 劉穎 攝

    ４月２０日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員、ＰＣＲＡＭ研究項目負責人宋志棠（左）與研究人員在實驗室內工作。新華社記者 劉穎 攝