由復旦大學微電子學院張衛教授領銜團隊研發的世界第一個半浮柵晶體管（SFGT）研究論文，近日刊登于《科學》雜誌，這是我國科學家首次在該權威雜誌發表微電子器件領域的研究成果。作為微電子領域的重大原始創新，該成果將有助於我國掌握集成電路的關鍵技術，從而在國際芯片設計與製造領域獲得更大的核心競爭力。

    晶體管是集成電路的基礎器件。過去幾十年工藝的進步讓晶體管的尺寸不斷縮小，越來越接近其物理極限，集成度的增加使芯片功耗密度太大而面臨散熱困難。因此，各國科學家和業界一直嘗試在材料和電路設計方面有所突破，同時積極尋找基於新結構和新原理的晶體管，突破現有的技術瓶頸。張衛團隊將隧穿場效應晶體管和浮柵晶體管的兩種原理相結合，構建成了一種名為“半浮柵”的新型基礎器件，它具有結構巧、性能高、功耗低的特點，可以廣泛應用在CPU緩存、內存和圖像傳感器等領域，使産品性能有革命性的提高。

    據悉，目前，這些領域的核心專利基本上都是被美光、三星、英特爾、索尼等國外公司控制，我國少有具有自主知識産權且可應用的産品。半浮柵晶體管可與現有主流集成電路製造工藝兼容，具有很好的産業化前景，潛在應用市場規模達到300億美元以上。目前該課題組針對這個器件的優化和電路設計工作已經開始。它將有助於我國掌握集成電路的核心器件技術，是我國在新型微電子器件技術研發上的一個里程碑。（記者 姜泓冰）