國家存儲器基地項目在武漢開工

新華社武漢1月2日電（記者 李思遠、陳俊）總投資240億美元的國家存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區正式開工。2020年全面建成後，年産值將超過100億美元，實現我國集成電路存儲芯片産業規模化發展“零”的突破。

此次開工的國家存儲器基地項目位於武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建築，其核心生産廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投産，2020年完成整個項目，總産能將達到30萬片/月，年産值將超過100億美元。

據介紹，國家存儲器基地項目由紫光集團聯合國家集成電路産業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以芯片製造環節為突破口，集存儲器産品設計、技術研發、晶圓生産與測試、銷售于一體，建成後，還將帶動設計、封裝、製造、應用等芯片産業相關環節的發展。

存儲器是信息系統的基礎核心芯片，最能代表集成電路産業規模經濟效益和先進製造工藝，同時也是我國進口金額最大的集成電路産品。